casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWF29-100-E3/45
codice articolo del costruttore | BYWF29-100-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWF29-100-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWF29-100-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWF29-100-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWF29-100-E3/45-FT |
BAS216,115
NXP USA Inc.
BAS216,135
NXP USA Inc.
BAT254,115
NXP USA Inc.
BAS316/ZLF
NXP USA Inc.
BAS316/ZLX
NXP USA Inc.
BAS321/ZLF
NXP USA Inc.
BAS321/ZLX
NXP USA Inc.
STTH810FP
STMicroelectronics
BYC8X-600,127
WeEn Semiconductors
BYC8X-600P,127
WeEn Semiconductors
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation