casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STTH810FP
codice articolo del costruttore | STTH810FP |
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Numero di parte futuro | FT-STTH810FP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STTH810FP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FPAC |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH810FP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH810FP-FT |
BAS40L,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2010BELD,315
Nexperia USA Inc.
BAS70L,315
Nexperia USA Inc.
BAS16L,315
Nexperia USA Inc.
BAT54L,315
Nexperia USA Inc.
1PS10SB82,315
Nexperia USA Inc.
RB751CS40,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AEL,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EL,315
Nexperia USA Inc.
RB520CS30L,315
Nexperia USA Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel