casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS216,135
codice articolo del costruttore | BAS216,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS216,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS216,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-110 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD110 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS216,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS216,135-FT |
PMEG2005ELD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3002AELD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3005ELD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4002ELD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3002AEL,315
Nexperia USA Inc.
RB521CS30L,315
Nexperia USA Inc.
BAS40L,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2010BELD,315
Nexperia USA Inc.
BAS70L,315
Nexperia USA Inc.
BAS16L,315
Nexperia USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation