casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYC8X-600,127
codice articolo del costruttore | BYC8X-600,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYC8X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYC8X-600,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 52ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC8X-600,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYC8X-600,127-FT |
PMEG2010BELD,315
Nexperia USA Inc.
BAS70L,315
Nexperia USA Inc.
BAS16L,315
Nexperia USA Inc.
BAT54L,315
Nexperia USA Inc.
1PS10SB82,315
Nexperia USA Inc.
RB751CS40,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AEL,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EL,315
Nexperia USA Inc.
RB520CS30L,315
Nexperia USA Inc.
BAS116LYL
Nexperia USA Inc.
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel