casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYC8X-600,127
codice articolo del costruttore | BYC8X-600,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYC8X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYC8X-600,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 52ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC8X-600,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYC8X-600,127-FT |
PMEG2010BELD,315
Nexperia USA Inc.
BAS70L,315
Nexperia USA Inc.
BAS16L,315
Nexperia USA Inc.
BAT54L,315
Nexperia USA Inc.
1PS10SB82,315
Nexperia USA Inc.
RB751CS40,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AEL,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EL,315
Nexperia USA Inc.
RB520CS30L,315
Nexperia USA Inc.
BAS116LYL
Nexperia USA Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel