casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYVF32-100-E3/45
codice articolo del costruttore | BYVF32-100-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYVF32-100-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYVF32-100-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVF32-100-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYVF32-100-E3/45-FT |
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel