casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSD2004S-G3-08
codice articolo del costruttore | GSD2004S-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GSD2004S-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSD2004S-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 225mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 240V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004S-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSD2004S-G3-08-FT |
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR3020WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel