casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD7000-E3-08
codice articolo del costruttore | MMBD7000-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD7000-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD7000-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD7000-E3-08-FT |
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel