casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD7000-G3-18
codice articolo del costruttore | MMBD7000-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD7000-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBD7000-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD7000-G3-18-FT |
BAS70-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel