casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV28-600-TAP
codice articolo del costruttore | BYV28-600-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYV28-600-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV28-600-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 210ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-600-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV28-600-TAP-FT |
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel