casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LS101A-GS18
codice articolo del costruttore | LS101A-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-LS101A-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LS101A-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS101A-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LS101A-GS18-FT |
VS-60EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel