casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LS103C-GS18
codice articolo del costruttore | LS103C-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-LS103C-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LS103C-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS103C-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LS103C-GS18-FT |
VS-60EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06PB120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB60PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel