casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LS101C-GS18
codice articolo del costruttore | LS101C-GS18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LS101C-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LS101C-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 2.2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS101C-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LS101C-GS18-FT |
VS-60EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06PB120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel