casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYQ28EF-150HE3/45
codice articolo del costruttore | BYQ28EF-150HE3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BYQ28EF-150HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYQ28EF-150HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EF-150HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYQ28EF-150HE3/45-FT |
VS-MBR2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L40C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L45C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel