casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBR4045CT-M3
codice articolo del costruttore | VS-MBR4045CT-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBR4045CT-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBR4045CT-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR4045CT-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBR4045CT-M3-FT |
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel