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codice articolo del costruttore | VS-MBR2545CT-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBR2545CT-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBR2545CT-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR2545CT-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBR2545CT-M3-FT |
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel