casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBR2535CT-M3
codice articolo del costruttore | VS-MBR2535CT-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBR2535CT-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBR2535CT-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR2535CT-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBR2535CT-M3-FT |
V30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel