casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BYM600A170DN2HOSA1
codice articolo del costruttore | BYM600A170DN2HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM600A170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM600A170DN2HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM600A170DN2HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM600A170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
XC2S200-5FG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA9K3H40C2LN
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel
5SGXMA3H2F35I3N
Intel