casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS20-HE3-18
codice articolo del costruttore | BAS20-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS20-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS20-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS20-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS20-HE3-18-FT |
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel