casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS21-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS21-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS21-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS21-G3-18-FT |
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel