casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS40-00-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAS40-00-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS40-00-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS40-00-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-00-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-00-HE3-08-FT |
VS-EPU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel