casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS20-E3-08
codice articolo del costruttore | BAS20-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS20-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS20-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS20-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS20-E3-08-FT |
VS-C4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel