casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM13-30-E3/96
codice articolo del costruttore | BYM13-30-E3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM13-30-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-30-E3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-30-E3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM13-30-E3/96-FT |
BAL99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel