casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS19-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS19-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS19-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS19-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS19-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS19-G3-18-FT |
VS-APH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel