casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16-HE3-18
codice articolo del costruttore | BAS16-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16-HE3-18-FT |
VS-90APS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation