casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAL99-HE3-18
codice articolo del costruttore | BAL99-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAL99-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAL99-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAL99-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAL99-HE3-18-FT |
VS-45APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90APS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel