casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9M34-100EX
codice articolo del costruttore | BUK9M34-100EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9M34-100EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M34-100EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.7nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2844pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M34-100EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9M34-100EX-FT |
UPA2813T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
NP33N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel