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Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0

Name: RJK2009DPM-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2009DPM-00#T0
Availability: InStock
Rating: 4.7 (628 reviews)

Numero parte MFG: RJK2009DPM-00#T0

quantità disponibile: 14980 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RJK2009DPM-00#T0.pdf

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RJK2009DPM-00#T0 specificazioni

codice articolo del costruttore	RJK2009DPM-00#T0
Numero di parte futuro	FT-RJK2009DPM-00#T0
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK2009DPM-00#T0 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PFM
Pacchetto / caso	TO-3PFM, SC-93-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2009DPM-00#T0 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RJK2009DPM-00#T0-FT

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