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Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0

Name: RJK60S7DPK-M0#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK60S7DPK-M0#T0
Price: 5.6 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (203 reviews)

Numero parte MFG: RJK60S7DPK-M0#T0

quantità disponibile: 12390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.6

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fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

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RJK60S7DPK-M0#T0 specificazioni

codice articolo del costruttore	RJK60S7DPK-M0#T0
Numero di parte futuro	FT-RJK60S7DPK-M0#T0
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK60S7DPK-M0#T0 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	+30V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 25V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	227.2W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PSG
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK60S7DPK-M0#T0 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RJK60S7DPK-M0#T0-FT

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