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Renesas Electronics America RJK6018DPM-00#T1

Numero parte MFG
RJK6018DPM-00#T1
quantità disponibile
79230 pezzi
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore RJK6018DPM-00#T1
Numero di parte futuro FT-RJK6018DPM-00#T1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RJK6018DPM-00#T1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM
Pacchetto / caso TO-3PFM, SC-93-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6018DPM-00#T1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RJK6018DPM-00#T1-FT

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