casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK6Y32-60PX
codice articolo del costruttore | BUK6Y32-60PX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK6Y32-60PX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK6Y32-60PX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.59nF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 106W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6Y32-60PX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK6Y32-60PX-FT |
PMXB40UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB65UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB120EPEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB350UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB360ENEAZ
Nexperia USA Inc.
PMXB56ENZ
Nexperia USA Inc.
PMXB65ENEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB75UPEZ
Nexperia USA Inc.
PSMN017-60YS,115
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel