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Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ

Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMXB360ENEAZ
Price: 0.101664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (57 reviews)

Numero parte MFG: PMXB360ENEAZ

quantità disponibile: 75470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.101664

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMXB360ENEAZ.pdf

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PMXB360ENEAZ specificazioni

codice articolo del costruttore	PMXB360ENEAZ
Numero di parte futuro	FT-PMXB360ENEAZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMXB360ENEAZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1010D-3
Pacchetto / caso	3-XDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB360ENEAZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMXB360ENEAZ-FT

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