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Nexperia USA Inc. PMXB350UPEZ

Numero parte MFG
PMXB350UPEZ
quantità disponibile
28140 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.0826
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fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PMXB350UPEZ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMXB350UPEZ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 116pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010D-3
Pacchetto / caso 3-XDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB350UPEZ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMXB350UPEZ-FT

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