casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMXB43UNEZ
codice articolo del costruttore | PMXB43UNEZ |
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Numero di parte futuro | FT-PMXB43UNEZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMXB43UNEZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 551pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMXB43UNEZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMXB43UNEZ-FT |
2N7002T,215
NXP USA Inc.
BSH112,235
NXP USA Inc.
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
PMV170UN,215
NXP USA Inc.
PMV185XN,215
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PMV20XN,215
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PMV22EN,215
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PMV28UN,215
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