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Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1

Name: BSS670S2LH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LH6327XTSA1
Price: 0.062144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (808 reviews)

Numero parte MFG: BSS670S2LH6327XTSA1

quantità disponibile: 10200 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.062144

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSS670S2LH6327XTSA1.pdf

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BSS670S2LH6327XTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSS670S2LH6327XTSA1
Numero di parte futuro	FT-BSS670S2LH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSS670S2LH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	540mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LH6327XTSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSS670S2LH6327XTSA1-FT

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