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Infineon Technologies IRLMS1902TR

Numero parte MFG
IRLMS1902TR
quantità disponibile
77460 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLMS1902TR specificazioni

codice articolo del costruttore IRLMS1902TR
Numero di parte futuro FT-IRLMS1902TR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLMS1902TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6)
Pacchetto / caso SOT-23-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLMS1902TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLMS1902TR-FT

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