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Infineon Technologies IRLMS2002TR

Name: IRLMS2002TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLMS2002TR
Availability: InStock
Rating: 4.6 (116 reviews)

Numero parte MFG: IRLMS2002TR

quantità disponibile: 27760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLMS2002TR.pdf

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IRLMS2002TR specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLMS2002TR
Numero di parte futuro	FT-IRLMS2002TR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLMS2002TR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1310pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Micro6™(SOT23-6)
Pacchetto / caso	SOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLMS2002TR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLMS2002TR-FT

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