casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLMS6702TR
codice articolo del costruttore | IRLMS6702TR |
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Numero di parte futuro | FT-IRLMS6702TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLMS6702TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(SOT23-6) |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS6702TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLMS6702TR-FT |
FDG315N
ON Semiconductor
SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1469DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1411DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG312P
ON Semiconductor
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1467DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1499DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1403BDL-T1-E3
Vishay Siliconix