casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS209PW
codice articolo del costruttore | BSS209PW |
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Numero di parte futuro | FT-BSS209PW |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS209PW Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 580mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 580mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.38nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 89.9pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS209PW Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS209PW-FT |
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
PMN120ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN16XNEX
Nexperia USA Inc.
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL202SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL207SP
Infineon Technologies
BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL207SPL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL211SP
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel