casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN16XNEX
codice articolo del costruttore | PMN16XNEX |
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Numero di parte futuro | FT-PMN16XNEX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMN16XNEX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 550mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN16XNEX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN16XNEX-FT |
FDV303N_NB9U008
ON Semiconductor
FDV304P-D87Z
ON Semiconductor
FDV304P_NB8U003
ON Semiconductor
NDS0610_NL
ON Semiconductor
NDS331N_D87Z
ON Semiconductor
NDS335N
ON Semiconductor
NDS336P
ON Semiconductor
NDS352P
ON Semiconductor
NDS355AN_G
ON Semiconductor
NDS356P
ON Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel