casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSL207SP
codice articolo del costruttore | BSL207SP |
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Numero di parte futuro | FT-BSL207SP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL207SP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1007pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL207SP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL207SP-FT |
NDS331N_D87Z
ON Semiconductor
NDS335N
ON Semiconductor
NDS336P
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NDT451AN_J23Z
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RQJ0303PGDQA#H6
Renesas Electronics America
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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XC5VLX30-1FFG676C
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EP20K100FI324-2XV
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