casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSH207,135
codice articolo del costruttore | BSH207,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BSH207,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSH207,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.52A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 9.6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 417mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH207,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSH207,135-FT |
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