casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS138W L6327
codice articolo del costruttore | BSS138W L6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS138W L6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS138W L6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138W L6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS138W L6327-FT |
PMN30UNX
Nexperia USA Inc.
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
PMN55ENEH
Nexperia USA Inc.
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
PMN120ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN16XNEX
Nexperia USA Inc.
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL202SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL207SP
Infineon Technologies