casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS138WH6433XTMA1
codice articolo del costruttore | BSS138WH6433XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS138WH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
BSS138WH6433XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138WH6433XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS138WH6433XTMA1-FT |
PMN55ENEH
Nexperia USA Inc.
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
PMN120ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN16XNEX
Nexperia USA Inc.
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL202SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL207SP
Infineon Technologies
BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL207SPL6327HTSA1
Infineon Technologies