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Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2

Numero parte MFG
BSS126H6327XTSA2
quantità disponibile
48070 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.138408
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSS126H6327XTSA2 specificazioni

codice articolo del costruttore BSS126H6327XTSA2
Numero di parte futuro FT-BSS126H6327XTSA2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSS126H6327XTSA2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS126H6327XTSA2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS126H6327XTSA2-FT

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