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Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1

Name: BSP603S2LHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP603S2LHUMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (171 reviews)

Numero parte MFG: BSP603S2LHUMA1

quantità disponibile: 86150 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSP603S2LHUMA1.pdf

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BSP603S2LHUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSP603S2LHUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSP603S2LHUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSP603S2LHUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1390pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP603S2LHUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSP603S2LHUMA1-FT

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