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Infineon Technologies SPU11N10

Numero parte MFG
SPU11N10
quantità disponibile
24570 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SPU11N10 specificazioni

codice articolo del costruttore SPU11N10
Numero di parte futuro FT-SPU11N10
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
SPU11N10 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore P-TO251-3-1
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPU11N10 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SPU11N10-FT

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