casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP317PH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSP317PH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP317PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP317PH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 430mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 430mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 370µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP317PH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP317PH6327XTSA1-FT |
IRFHM7194TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8228TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8235TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM831TR2PBF
Infineon Technologies
IRFHM831TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8326TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8329TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8330TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8334TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8337TRPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel