casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BSP52T3G
codice articolo del costruttore | BSP52T3G |
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Numero di parte futuro | FT-BSP52T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSP52T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP52T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP52T3G-FT |
NSVBC856BM3T5G
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XC6SLX150-N3CSG484C
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