casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD45H11-1G
codice articolo del costruttore | MJD45H11-1G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD45H11-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD45H11-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 90MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD45H11-1G-FT |
NJVMJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD42CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor
NJD1718T4G
ON Semiconductor
BUD42D
ON Semiconductor
BUD42D-001
ON Semiconductor
BUD42D-1G
ON Semiconductor
BUD42DG
ON Semiconductor
BUD42DT4
ON Semiconductor
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel