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Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF

Name: IRFHM8326TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8326TRPBF
Price: 0.216032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (91 reviews)

Numero parte MFG: IRFHM8326TRPBF

quantità disponibile: 83410 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.216032

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFHM8326TRPBF.pdf

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IRFHM8326TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFHM8326TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFHM8326TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM8326TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2496pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8326TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFHM8326TRPBF-FT

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